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“一代硅王”朱共山正式加盟第三代半導體廠商宏光半導體！

12月13日，宏光半導體就與協鑫科技控股有限公司創辦人、主席兼執行董事朱共山先生（“朱先生”）於2022年8月4日所訂立的投資協議（“投資協議”）舉行股東特別大會，有關投資協議的決議案獲一致通過，朱先生正式成為宏光半導體的主要戰略股東。 

根據此前投資協議，朱先生間接認購宏光半導體的6,000萬股認購股份及6,000萬份認股權證，鑑於朱先生合理信納宏光半導體的盡職審查調查結果，並將透過其指定的實益擁有實體常盛有限公司參與股份認購事項及認股權證認購事項，認購股份及認股權證股份於發行日期起計18個月內不得出售或轉讓。

作為世界系能源龍頭企業協鑫科技的創建人，朱共山在新能源領域的地位可謂舉足輕重。他敏鋭的投資眼光使其一舉一動都備受世人關注，成為投資市場高度關注的風向標。此次朱共山與宏光半導體的強強聯手，有望在第三代半導體行業掀起一陣“芯“風暴。

緣何殺入第三代半導體賽道？

要回答這個問題，不得不提到炙手可熱的第三代半導體對於新能源領域的重要意義。

所謂“第三代半導體”，即是按照芯片材料的歷史進程劃分，包括第一代的高純度硅、第二代化合物半導體材料砷化鎵與磷化銦，以及以碳化硅和氮化鎵（下簡稱“GaN”）為代表的第三代化合物半導體材料。對比第一二代材料，第三代具有高擊穿電壓、高功率密度等優勢，尤其在大功率、高温高頻的工作環境中性能更為出色。其中，以第三代半導體材料製成的GaN器件由於其效率高且成本低的優勢已吸引眾多國際知名企業入局，如汽車巨頭BMW已與專注於研發GaN技術的GaN Systems 簽署供應協議。

GaN技術不僅藴含着巨大的商業價值，對於聚焦新能源領域的協鑫集團而言還具備巨大的產業價值。眾所周知，由於GaN器件具有靜態和動態損耗低、寄生電容小、支持高頻、開關速度快等優異性能，可大幅提升光伏發電效率。此外，GaN高頻開關可使逆變器產生更乾淨的正弦波，導致無源組件的明顯減少，進而降低光伏發電系統的尺寸、重量和成本，也可使儲能系統實現低轉換損耗。而以新能源、清潔能源為主的協鑫集團，第三代半導體芯片將是其未來的絕佳選擇。至此，作為致力成為全港唯一集研發、製造、封測及銷售為一體的全產業鏈半導體整合設備生產模式（IDM）公司，宏光半導體自然而然的成為了朱共山的合作伙伴。

強強聯合 想象空間無限展開

日前，朱先生在其專訪中曾提及，在“雙碳”風口，協鑫最關鍵的是靠32年如一日的科研和新技術。2006年之初，多晶硅每公斤耗電達220度；2016-2017年，協鑫將每公斤耗電量降至60多度。現在，協鑫徐州基地的耗電量已降至每公斤約13度，整體能耗降低了85%，減碳85%。而日後，協鑫也將秉持着最初為國家碳中和盡一份力的情懷繼續前行。

無獨有偶，宏光半導體也一直致力於為地球環保出一份力。近年來，宏光半導體積極從LED燈珠業務轉型到第三代半導體，更是於近期，僅花短短3個月時間便成功研發出自家6英寸GaN功率器件外延片，所需時間遠超預期，更快於行業大型企業一般需要花1-2年的時間。宏光將預計將於2023年第二季開始晶圓試產，並計劃於2024年初前開始投產芯片。

長遠來看，兩家的合作必將起到協同效應。一方面，未來協鑫集團在新能源領域將會產生大量的GaN芯片需求，宏光半導體生產的GaN 芯片將成為協鑫集團的能源工程業務、太陽能逆變器及儲能技術中使用的基礎組件的不二之選，幫助協鑫鞏固其新能源行業龍頭的地位。另外一方面，憑藉朱先生及協鑫集團多年在新能源領域積累的豐富資源和領先技術，相信將能向宏光半導體提供質量上乘、整個固體晶格連續，邊緣無破損，亦無任何晶界的硅片。協鑫集團的硅片供應可提振宏光半導體的信心，並確保其GaN業務發展的穩定性和質量，可借力快速而大規模地切入新能源市場。因此，宏光半導體與協鑫集團聯袂成為戰略合作伙伴，對於產業生態和雙方發展而言都至關重要。

此次宏光半導體引入重磅戰略投資者，既為投資界打開了新的視野，也為新能源市場和第三代半導體行業頓開新氣象。後續的故事將如何開展？讓我們拭目以待。