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摩根士丹利发表报告指出，据报国际半导体标准组织(JEDEC)最近同意将HBM4产品的标准定为775微米，相对于目前高频宽记忆体(HBM)技术为720微米。记忆体晶片制造商在假设未来HBM的高度固定在720微米之下，一直在研16层HBM的混合键合(hybrid bonding，HB)，可减少记忆体层之间的空间。 该行相信，HBM4产品的高度放宽，可能导致16层HBM采用热压焊接(TCB)的机会更大。而ASMPT(00522.HK)曾透露其热压焊接也可支援未来的16层HBM。事实上，与混合键合相比，热压焊接或更具成本竞争力。如果HBM4高度放宽并在16层HBM中采用热压焊接，则表示热压焊接的可服务市场更大，可能成为2026年及以后ASMPT的上行风险。 此外，该行认为ASMPT为TCB行业的龙头，将其目标价由108元上调至123元，评级「增持」，并上调其2026年每股盈利预测，料随著2026年及以后热压焊接的可服务市场扩大，该股将进一步重评。